Valmistajan tuotenumero:
IPB80P03P4L04ATMA2
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB80P03P4L04ATMA2-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Varasto:
7529 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12981638
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB80P03P4L04ATMA2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS®-P2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 253µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
+5V, -16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
11300 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
137W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB80P
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
448-IPB80P03P4L04ATMA2DKR
SP002325736
448-IPB80P03P4L04ATMA2TR
448-IPB80P03P4L04ATMA2CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BUK7E3R5-60E,127
TRANSISTOR >30MHZ
FDS8449-G
FDS8449 - 40V MOSFET N CHANNEL
SIHK075N60EF-T1GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST