Valmistajan tuotenumero:
IPB80P04P4L06ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB80P04P4L06ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Varasto:
12800725
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB80P04P4L06ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
6.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 150µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6580 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
88W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB80P
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
2156-IPB80P04P4L06ATMA1
SP000842046
INFINFIPB80P04P4L06ATMA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPB80P04P4L06ATMA2
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
3343
DiGi OSA NUMERO
IPB80P04P4L06ATMA2-DG
Yksikköhinta
0.97
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPD65R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
IPB136N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
