Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPC70N04S5L4R2ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Varasto:
5000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12801634
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPC70N04S5L4R2ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
70A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 17µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
50W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8-34
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
IPC70N04
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IPC70N04S5L-4R2
Tietokortit
IPC70N04S5L4R2ATMA1
HTML-tietolomake
IPC70N04S5L4R2ATMA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
IPC70N04S5L4R2ATMA1-DG
IPC70N04S5L4R2ATMA1CT
IPC70N04S5L4R2ATMA1DKR
IPC70N04S5L4R2ATMA1TR
SP001418126
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AUIRLL014NTR
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
AUIRF6215
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
BSC048N025S G
MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON
IPP65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3