Valmistajan tuotenumero:
IPD046N08N5ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD046N08N5ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
2400 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12801290
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD046N08N5ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
90A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 65µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3800 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD046
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
448-IPD046N08N5ATMA1CT
IPD046N08N5ATMA1-DG
SP001475652
448-IPD046N08N5ATMA1DKR
448-IPD046N08N5ATMA1TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FDD86367
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
40875
DiGi OSA NUMERO
FDD86367-DG
Yksikköhinta
0.86
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPI65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
BSP171PE6327
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
