Valmistajan tuotenumero:
IPD050N10N5ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD050N10N5ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
8938 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12800337
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD050N10N5ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 84µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD050
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
SP001602184
448-IPD050N10N5ATMA1CT
IPD050N10N5ATMA1-DG
448-IPD050N10N5ATMA1TR
448-IPD050N10N5ATMA1DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPA60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP
IPP120N06S4H1AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IPB80N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3