Valmistajan tuotenumero:
IPD200N15N3GATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD200N15N3GATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
51180 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12800664
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD200N15N3GATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
50A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
8V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 75 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD200
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
IPD200N15N3GATMA1CT
IPD200N15N3GATMA1TR
IPD200N15N3GATMA1DKR
SP001127820
IPD200N15N3GATMA1-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BUZ31L
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
IPA60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
IPB120N10S405ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
