Valmistajan tuotenumero:
IPD50N03S207ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD50N03S207ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Varasto:
2500 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12805342
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD50N03S207ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
50A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
7.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 85µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
136W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3-11
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD50
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
IPD50N03S207ATMA1TR-DG
SP000254462
448-IPD50N03S207ATMA1DKR
INFINFIPD50N03S207ATMA1
2156-IPD50N03S207ATMA1
IPD50N03S2-07
IPD50N03S207ATMA1TR
448-IPD50N03S207ATMA1CT
IPD50N03S2-07-DG
448-IPD50N03S207ATMA1TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPZ60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
