Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPD50R280CEBTMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD50R280CEBTMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12799697
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD50R280CEBTMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™ CE
Tuotteen tila
Discontinued at Digi-Key
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
13V
Rds päällä (max) @ id, vgs
280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 350µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
32.6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
773 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
92W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3-11
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD50R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
IPD50R280CEBTMA1
HTML-tietolomake
IPD50R280CEBTMA1-DG
Tekniset tiedot
IPD50R280CE
500V CoolMOS CE Brief
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
IPD50R280CEINDKR
IPD50R280CEINCT-DG
IPD50R280CEIN
IPD50R280CEINCT
IPD50R280CEBTMA1CT
IPD50R280CEINTR-DG
-IPD50R280CE
IPD50R280CEBTMA1DKR
IPD50R280CEINDKR-DG
IPD50R280CEBTMA1TR
IPD50R280CEIN-DG
IPD50R280CE
SP000992082
IPD50R280CEINTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPD33CN10NGATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
30085
DiGi OSA NUMERO
IPD33CN10NGATMA1-DG
Yksikköhinta
0.45
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
STD18N55M5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
3540
DiGi OSA NUMERO
STD18N55M5-DG
Yksikköhinta
1.31
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON