Valmistajan tuotenumero:
IPD50R650CEBTMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD50R650CEBTMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
12801802
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD50R650CEBTMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™ CE
Tuotteen tila
Discontinued at Digi-Key
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
13V
Rds päällä (max) @ id, vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
47W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD50R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
SP000992078
IPD50R650CECT-DG
ROCINFIPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1CT
IPD50R650CECT
IPD50R650CETR-DG
2156-IPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1DKR
IPD50R650CEDKR-DG
-IPD50R650CE
IPD50R650CEBTMA1TR
IPD50R650CE
IPD50R650CETR
IPD50R650CEDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STD10N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
6542
DiGi OSA NUMERO
STD10N60M2-DG
Yksikköhinta
0.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AUIRF3004WL
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
BSP317PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
AUIRF3710ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
