Valmistajan tuotenumero:
IPD60R3K4CEAUMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD60R3K4CEAUMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
4380 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12810097
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD60R3K4CEAUMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™ CE
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
93 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
29W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD60R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
448-IPD60R3K4CEAUMA1CT
SP001422856
448-IPD60R3K4CEAUMA1TR
448-IPD60R3K4CEAUMA1DKR
IPD60R3K4CEAUMA1-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BUK754R7-60E,127
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
BUK9610-55A,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BSN254,126
MOSFET N-CH 250V 310MA TO92-3
