Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPD60R460CEAUMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD60R460CEAUMA1-DG
Kuvaus:
CONSUMER
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 13.1A (Tj) 74W Surface Mount PG-TO252-3-344
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12857703
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
H
f
U
u
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD60R460CEAUMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™ CE
Tuotteen tila
Last Time Buy
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13.1A (Tj)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
74W
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3-344
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD60R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IPD60R460CE, IPA60R460CE
Tietokortit
IPD60R460CEAUMA1
HTML-tietolomake
IPD60R460CEAUMA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
IPD60R460CEAUMA1-DG
SP001396882
448-IPD60R460CEAUMA1TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPD60R360P7SAUMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
69
DiGi OSA NUMERO
IPD60R360P7SAUMA1-DG
Yksikköhinta
0.33
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STD10NM60ND
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2200
DiGi OSA NUMERO
STD10NM60ND-DG
Yksikköhinta
0.83
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SI3442DV
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
NTB65N02RT4G
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
NVATS5A112PLZT4G
MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK
NP82N04PDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO263