Valmistajan tuotenumero:
IPD80R1K4CEATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD80R1K4CEATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
12801213
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD80R1K4CEATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
63W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD80R1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
SP001130972
IPD80R1K4CEATMA1-DG
IPD80R1K4CEATMA1TR
IPD80R1K4CEATMA1CT
IPD80R1K4CEATMA1DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STD5N62K3
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2481
DiGi OSA NUMERO
STD5N62K3-DG
Yksikköhinta
0.42
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPI90R500C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
BSP613P
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
IPD70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
