Valmistajan tuotenumero:
IPD80R2K4P7ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
2421 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12803344
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD80R2K4P7ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™ P7
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 500 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
22W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD80R2
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
IPD80R2K4P7ATMA1TR
IPD80R2K4P7ATMA1CT
IFEINFIPD80R2K4P7ATMA1
2156-IPD80R2K4P7ATMA1
SP001644284
IPD80R2K4P7ATMA1DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STD4LN80K5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2485
DiGi OSA NUMERO
STD4LN80K5-DG
Yksikköhinta
0.59
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPC60R380E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPP90N06S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
