Valmistajan tuotenumero:
IPD80R4K5P7ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD80R4K5P7ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
12800597
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD80R4K5P7ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
80 pF @ 500 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
13W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD80R4
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
IPD80R4K5P7ATMA1TR
IPD80R4K5P7ATMA1CT
SP001422632
IPD80R4K5P7ATMA1DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
AOD2N60
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
26961
DiGi OSA NUMERO
AOD2N60-DG
Yksikköhinta
0.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
