Valmistajan tuotenumero:
IPD85P04P407ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD85P04P407ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Varasto:
12801311
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD85P04P407ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
85A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
7.3mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6085 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
88W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3-313
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD85P04
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
448-IPD85P04P407ATMA1TR
IPD85P04P407ATMA1-DG
2156-IPD85P04P407ATMA1
SP000842066
INFINFIPD85P04P407ATMA1
448-IPD85P04P407ATMA1DKR
448-IPD85P04P407ATMA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPD85P04P407ATMA2
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
29235
DiGi OSA NUMERO
IPD85P04P407ATMA2-DG
Yksikköhinta
0.70
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
IPD60R2K1CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3