Valmistajan tuotenumero:
IPD90N04S403ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD90N04S403ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Varasto:
9976 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12800502
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
gSXY
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD90N04S403ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
90A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 53µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
66.8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5260 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
94W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3-313
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IPD90
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
SP000671630
IPD90N04S403ATMA1CT
IPD90N04S4-03-DG
IPD90N04S403ATMA1DKR
IPD90N04S4-03
INFINFIPD90N04S403ATMA1
IPD90N04S403ATMA1TR
2156-IPD90N04S403ATMA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3