Valmistajan tuotenumero:
IPDD60R190G7XTMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPDD60R190G7XTMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Varasto:
167 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12800915
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPDD60R190G7XTMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™ G7
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 210µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
718 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
76W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-HDSOP-10-1
Pakkaus / Kotelo
10-PowerSOP Module
Perustuotenumero
IPDD60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,700
Muut nimet
IPDD60R190G7XTMA1DKR
SP001632844
IPDD60R190G7XTMA1TR
2156-IPDD60R190G7XTMA1-448
IPDD60R190G7XTMA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPI50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3