Valmistajan tuotenumero:
IPI040N06N3GHKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPI040N06N3GHKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Varasto:
12803604
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPI040N06N3GHKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
90A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
188W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
IPI04N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
SP000398038
IPI040N06N3 G
IPI040N06N3 G-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFSL3306PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRFSL3306PBF-DG
Yksikköhinta
1.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IPI040N06N3GXKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
500
DiGi OSA NUMERO
IPI040N06N3GXKSA1-DG
Yksikköhinta
0.83
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFB4620PBF
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
IRFR3711ZTRPBF
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
IPP60R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3