Valmistajan tuotenumero:
IPI072N10N3GXKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPI072N10N3GXKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Varasto:
12800148
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPI072N10N3GXKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Discontinued at Digi-Key
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
IPI072
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
IPI072N10N3 G-DG
IPI072N10N3 G
SP000680674
2156-IPI072N10N3GXKSA1-448
IPI072N10N3G
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPC302N15N3X1SA1
MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL
IPI60R165CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3