Valmistajan tuotenumero:
IPI60R099CPAAKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPI60R099CPAAKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Varasto:
12804849
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPI60R099CPAAKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
31A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
255W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
IPI60R099
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
INFINFIPI60R099CPAAKSA1
IPI60R099CPA
IPI60R099CPA-DG
SP000315454
2156-IPI60R099CPAAKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
AOWF095A60
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
AOWF095A60-DG
Yksikköhinta
2.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPP60R105CFD7XKSA1
MOSFET N CH
IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
IPD60R600P6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3