Valmistajan tuotenumero:
IPI65R660CFDXKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPI65R660CFDXKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Varasto:
12803660
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPI65R660CFDXKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
62.5W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
IPI65R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
IPI65R660CFD
2156-IPI65R660CFDXKSA1-IT
SP000861696
IFEINFIPI65R660CFDXKSA1
IPI65R660CFD-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFSL9N60APBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
900
DiGi OSA NUMERO
IRFSL9N60APBF-DG
Yksikköhinta
1.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IPI60R125CPXKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
490
DiGi OSA NUMERO
IPI60R125CPXKSA1-DG
Yksikköhinta
3.00
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPP80P04P405AKSA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3
IRF7832ZTR
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
IRF7433PBF
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
