Valmistajan tuotenumero:
IPI70N04S307AKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPI70N04S307AKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Varasto:
12804985
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPI70N04S307AKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
79W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
IPI70N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
IPI70N04S3-07
SP000279551
IPI70N04S3-07-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPI70N04S406AKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
500
DiGi OSA NUMERO
IPI70N04S406AKSA1-DG
Yksikköhinta
0.80
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
BUK7E8R3-40E,127
VALMISTAJA
NXP USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
1749
DiGi OSA NUMERO
BUK7E8R3-40E,127-DG
Yksikköhinta
0.41
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFL024NPBF
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
IPP260N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
IRFH5306TRPBF
MOSFET N-CH 30V 15A/44A PQFN
