Valmistajan tuotenumero:
IPI80P03P405AKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPI80P03P405AKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Varasto:
12802978
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPI80P03P405AKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 253µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
137W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3-1
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
IPI80P
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
SP000396316
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
SPP80P06PHXKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
5150
DiGi OSA NUMERO
SPP80P06PHXKSA1-DG
Yksikköhinta
1.67
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF6729MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
IPD70N04S3-07
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
IPP60R090CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
