Valmistajan tuotenumero:
IPN80R2K0P7ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 6.4W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Varasto:
12803654
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPN80R2K0P7ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™ P7
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
175 pF @ 500 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
6.4W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Perustuotenumero
IPN80R2
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
IPN80R2K0P7ATMA1CT
IPN80R2K0P7ATMA1DKR
SP001664996
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
IPN80R2K0P7ATMA1TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFR13N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IPL60R125P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
IRF3708PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
