Valmistajan tuotenumero:
IPN80R900P7ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPN80R900P7ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Varasto:
5780 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12803715
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPN80R900P7ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™ P7
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 110µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 500 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
7W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Perustuotenumero
IPN80R900
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
SP001665000
IPN80R900P7ATMA1CT
IPN80R900P7ATMA1-DG
IPN80R900P7ATMA1TR
IPN80R900P7ATMA1DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFR540ZPBF
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
IPP60R380P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IPW65R280E6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
