IPP050N10NF2SAKMA1
Valmistajan tuotenumero:

IPP050N10NF2SAKMA1

Product Overview

Valmistaja:

Infineon Technologies

Osan numero:

IPP050N10NF2SAKMA1-DG

Kuvaus:

TRENCH >=100V
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 19.4A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Varasto:

12950987
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IPP050N10NF2SAKMA1 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
StrongIRFET™ 2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
19.4A (Ta), 110A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 84µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IPP050M

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
50
Muut nimet
SP005548848
448-IPP050N10NF2SAKMA1

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
infineon-technologies

IPP016N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IPP019N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V