Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPP60R180P7XKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPP60R180P7XKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12806034
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPP60R180P7XKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™ P7
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
18A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1081 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
72W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IPP60R180
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IPP60R180P7
Tietokortit
IPP60R180P7XKSA1
HTML-tietolomake
IPP60R180P7XKSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
SP001606038
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP24N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
189
DiGi OSA NUMERO
STP24N60M2-DG
Yksikköhinta
1.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
TPH3206PS
VALMISTAJA
Transphorm
Saatavilla oleva määrä
341
DiGi OSA NUMERO
TPH3206PS-DG
Yksikköhinta
4.91
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
TK17E65W,S1X
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
12
DiGi OSA NUMERO
TK17E65W,S1X-DG
Yksikköhinta
1.35
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STP24N60DM2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
105
DiGi OSA NUMERO
STP24N60DM2-DG
Yksikköhinta
1.48
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IPW60R180P7XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
237
DiGi OSA NUMERO
IPW60R180P7XKSA1-DG
Yksikköhinta
1.54
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPS70R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
IRLR3410TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
IRFP90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
IRF540ZPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB