Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPP60R190E6XKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPP60R190E6XKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Varasto:
1985 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12853263
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPP60R190E6XKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
151W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IPP60R190
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IPx60R190E6
Tietokortit
IPP60R190E6XKSA1
HTML-tietolomake
IPP60R190E6XKSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
IPP60R190E6-DG
448-IPP60R190E6XKSA1
IPP60R190E6XKSA1-DG
IPP60R190E6
SP000797378
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP24N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
189
DiGi OSA NUMERO
STP24N60M2-DG
Yksikköhinta
1.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IPP65R190E6XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
580
DiGi OSA NUMERO
IPP65R190E6XKSA1-DG
Yksikköhinta
1.52
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
STP28N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
1020
DiGi OSA NUMERO
STP28N60M2-DG
Yksikköhinta
1.40
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
AOT25S65L
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
AOT25S65L-DG
Yksikköhinta
1.99
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IPP60R190C6XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
4500
DiGi OSA NUMERO
IPP60R190C6XKSA1-DG
Yksikköhinta
1.40
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFR120NCPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IRLL014NTR
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
MMBF170LT3
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
MLD1N06CLT4
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK