Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPP60R600C6XKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPP60R600C6XKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12823270
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPP60R600C6XKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
63W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IPP60R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IPx60R600C6
Tietokortit
IPP60R600C6XKSA1
HTML-tietolomake
IPP60R600C6XKSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
INFINFIPP60R600C6XKSA1
SP000645074
IPP60R600C6-DG
IPP60R600C6
2156-IPP60R600C6XKSA1-IT
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP13N80K5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
312
DiGi OSA NUMERO
STP13N80K5-DG
Yksikköhinta
1.60
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STP10NM60N
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
1163
DiGi OSA NUMERO
STP10NM60N-DG
Yksikköhinta
1.29
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IPP60R600P7XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IPP60R600P7XKSA1-DG
Yksikköhinta
0.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
FCP11N60F
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
996
DiGi OSA NUMERO
FCP11N60F-DG
Yksikköhinta
1.38
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STP10N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
990
DiGi OSA NUMERO
STP10N60M2-DG
Yksikköhinta
0.51
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTT3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
IRF7207TR
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IXFT10N100
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
IRF7416GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO