Valmistajan tuotenumero:
IPP65R190C7FKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPP65R190C7FKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Varasto:
499 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12806180
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPP65R190C7FKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™ C7
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
72W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IPP65R190
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
448-IPP65R190C7FKSA1
IPP65R190C7FKSA1-DG
SP000929426
2156-IPP65R190C7FKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRLTS2242TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
IRF7220
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
IRFR120NTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK