Valmistajan tuotenumero:
IPP80N04S404AKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPP80N04S404AKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Varasto:
470 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12806094
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPP80N04S404AKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3440 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
71W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3-1
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IPP80N04
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
IFEINFIPP80N04S404AKSA1
IPP80N04S4-04-DG
SP000646196
IPP80N04S4-04
2156-IPP80N04S404AKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFB4310GPBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
IRL1004S
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
IPSA70R2K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
