Valmistajan tuotenumero:
IPQC60R010S7AXTMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPQC60R010S7AXTMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22
Varasto:
13004463
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPQC60R010S7AXTMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
50A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
12V
Rds päällä (max) @ id, vgs
10mOhm @ 50A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3.08mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
318 nC @ 12 V
Vgs (enintään)
±20V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
694W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-HDSOP-22
Pakkaus / Kotelo
22-PowerBSOP Module
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
750
Muut nimet
448-IPQC60R010S7AXTMA1TR
SP005567905
448-IPQC60R010S7AXTMA1DKR
448-IPQC60R010S7AXTMA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SSF2319CJ1
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.45A, -2
GSFP1040
MOSFET, N-CH, SINGLE, 40A, 100V,
GSFQ1008
MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
