Valmistajan tuotenumero:
IPS60R360PFD7SAKMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPS60R360PFD7SAKMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Varasto:
832 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12810871
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPS60R360PFD7SAKMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™PFD7
Tuotteen tila
Last Time Buy
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
10A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 140µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
534 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
43W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO251-3
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
IPS60R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
448-IPS60R360PFD7SAKMA1
SP003965460
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPU95R450P7AKMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IPU95R450P7AKMA1-DG
Yksikköhinta
0.98
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R210PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
IPAN60R360PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
