Valmistajan tuotenumero:
IPS60R3K4CEAKMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPS60R3K4CEAKMA1-DG
Kuvaus:
CONSUMER
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 2.6A (Tj) Through Hole PG-TO251-3
Varasto:
12816756
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPS60R3K4CEAKMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™ CE
Tuotteen tila
Last Time Buy
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.6A (Tj)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
93 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
-
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO251-3
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
IPS60R3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,500
Muut nimet
2156-IPS60R3K4CEAKMA1
SP001422886
ROCINFIPS60R3K4CEAKMA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPS70R1K4P7SAKMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
Yksikköhinta
0.18
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STD3NK60Z-1
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2900
DiGi OSA NUMERO
STD3NK60Z-1-DG
Yksikköhinta
0.34
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TP0610K-T1
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
CSD17306Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
CSD19533Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
