Valmistajan tuotenumero:
IPT014N08NM5ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPT014N08NM5ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 37A (Ta), 331A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Varasto:
2209 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12965557
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPT014N08NM5ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™ 5
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
37A (Ta), 331A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
14000 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-HSOF-8-1
Pakkaus / Kotelo
8-PowerSFN
Perustuotenumero
IP5014N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
448-IPT014N08NM5ATMA1CT
448-IPT014N08NM5ATMA1DKR
SP005538332
448-IPT014N08NM5ATMA1TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
IPD60R600PFD7SAUMA1
CONSUMER PG-TO252-3
PSMN3R5-80YSFX
NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
