Valmistajan tuotenumero:
IPT111N20NFDATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPT111N20NFDATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 96A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Varasto:
6592 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12803495
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPT111N20NFDATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
96A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
11.1mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 267µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7000 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
375W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-HSOF-8-1
Pakkaus / Kotelo
8-PowerSFN
Perustuotenumero
IPT111
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
IPT111N20NFDATMA1TR
IPT111N20NFDATMA1DKR
IPT111N20NFDATMA1CT
SP001340384
IPT111N20NFDATMA1-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF7467PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IPB80N06S4L07ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IRFR1205TRR
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
