Valmistajan tuotenumero:
IPT65R195G7XTMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPT65R195G7XTMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 97W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Varasto:
12806479
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPT65R195G7XTMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
CoolMOS™ C7
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
14A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
195mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
996 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
97W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-HSOF-8-2
Pakkaus / Kotelo
8-PowerSFN
Perustuotenumero
IPT65R195
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
IPT65R195G7XTMA1CT
IPT65R195G7XTMA1TR
IPT65R195G7XTMA1DKR
INFINFIPT65R195G7XTMA1
2156-IPT65R195G7XTMA1
IPT65R195G7XTMA1-DG
SP001456206
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPT65R190CFD7XTMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IPT65R190CFD7XTMA1-DG
Yksikköhinta
1.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SPB80N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IRLR3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
IPP60R160C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
