Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPW50R199CPFKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPW50R199CPFKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 550 V 17A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12805499
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPW50R199CPFKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
550 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
139W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3-1
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IPW50R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IPW50R199CP
Tietokortit
IPW50R199CPFKSA1
HTML-tietolomake
IPW50R199CPFKSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
240
Muut nimet
SP000236096
2156-IPW50R199CPFKSA1-IT
IPW50R199CP-DG
IPW50R199CP
ROCINFIPW50R199CPFKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFR44N50Q3
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
27
DiGi OSA NUMERO
IXFR44N50Q3-DG
Yksikköhinta
14.36
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STW19NM50N
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
337
DiGi OSA NUMERO
STW19NM50N-DG
Yksikköhinta
3.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STW24N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
562
DiGi OSA NUMERO
STW24N60M2-DG
Yksikköhinta
1.39
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IRFP31N50LPBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
1443
DiGi OSA NUMERO
IRFP31N50LPBF-DG
Yksikköhinta
3.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IPW60R190C6FKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
292
DiGi OSA NUMERO
IPW60R190C6FKSA1-DG
Yksikköhinta
1.70
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFR48ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFHM831TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN
IPP50R350CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
IRLZ44NSTRR
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK