Valmistajan tuotenumero:
IPW65R095C7XKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPW65R095C7XKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Varasto:
2486 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12816657
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPW65R095C7XKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
24A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2140 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
128W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3-1
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IPW65R095
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
448-IPW65R095C7XKSA1
SP001080128
IPW65R095C7XKSA1-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF540Z
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
CSD18503KCS
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
