Valmistajan tuotenumero:
IPW65R110CFDFKSA2
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPW65R110CFDFKSA2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Varasto:
208 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12804537
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPW65R110CFDFKSA2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™ CFD2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
277.8W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3-41
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IPW65R110
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
448-IPW65R110CFDFKSA2
SP001987370
IPW65R110CFDFKSA2-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
IRF3415L
MOSFET N-CH 150V 43A TO262
IRFR9120NPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK