Valmistajan tuotenumero:
IPW65R660CFDFKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPW65R660CFDFKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Varasto:
12806124
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPW65R660CFDFKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
700 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
62.5W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3-1
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IPW65R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
240
Muut nimet
2156-IPW65R660CFDFKSA1-IT
INFINFIPW65R660CFDFKSA1
IPW65R660CFD
SP000861700
IPW65R660CFD-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFPF50PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
466
DiGi OSA NUMERO
IRFPF50PBF-DG
Yksikköhinta
3.01
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STW10N95K5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
466
DiGi OSA NUMERO
STW10N95K5-DG
Yksikköhinta
1.98
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF9410TRPBF
MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
IPU80R1K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
IRL540NL
MOSFET N-CH 100V 36A TO262
