Valmistajan tuotenumero:
IPW80R280P7XKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPW80R280P7XKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Varasto:
109 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12805741
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPW80R280P7XKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 500 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
101W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3-41
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IPW80R280
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
2156-IPW80R280P7XKSA1
SP001422758
IPW80R280P7XKSA1-DG
448-IPW80R280P7XKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF1405ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRLI540N
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
IPP60R165CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
