Valmistajan tuotenumero:
IPWS65R035CFD7AXKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPWS65R035CFD7AXKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 63A (Tc) 305W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Varasto:
12945085
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPWS65R035CFD7AXKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
*
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
63A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
35mOhm @ 35.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.79mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7149 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
305W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3-41
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IPWS65
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
SP005405804
448-IPWS65R035CFD7AXKSA1
2156-IPWS65R035CFD7AXKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPW65R035CFD7AXKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
1201
DiGi OSA NUMERO
IPW65R035CFD7AXKSA1-DG
Yksikköhinta
9.15
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPW65R115CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
AONS36303
MOSFET N-CH 30V 5X6 8DFN
IPLK60R360PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
