Valmistajan tuotenumero:

IRF1902PBF

Product Overview

Valmistaja:

Infineon Technologies

Osan numero:

IRF1902PBF-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12809200

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

IRF1902PBF Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Infineon Technologies

Paketti

-

Sarja

HEXFET®

Tuotteen tila

Obsolete

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

20 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

4.2A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

2.7V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs

85mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 4.5 V

Vgs (enintään)

±12V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

310 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.5W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

8-SO

Pakkaus / Kotelo

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

95

Muut nimet

*IRF1902PBF

SP001550948

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

infineon-technologies

IRF3711ZSTRL

MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK

infineon-technologies

IRFZ34NSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

infineon-technologies

IRFR3704TRPBF

MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

nxp-semiconductors

BUK7226-75A/C1,118

MOSFET N-CH 75V 45A DPAK