Valmistajan tuotenumero:
IRF3709S
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRF3709S-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Varasto:
13064101
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF3709S Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
HEXFET®
Pakkaaminen
Tube
Osan tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
90A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2672 pF @ 16 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
*IRF3709S
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PSMN4R3-30BL,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
9945
DiGi OSA NUMERO
PSMN4R3-30BL,118-DG
Yksikköhinta
0.58
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
PSMN017-30BL,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
1868
DiGi OSA NUMERO
PSMN017-30BL,118-DG
Yksikköhinta
0.37
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFP150NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
IRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
