Valmistajan tuotenumero:
IRF520NLPBF
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRF520NLPBF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Through Hole TO-262
Varasto:
13064073
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF520NLPBF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
HEXFET®
Pakkaaminen
Tube
Osan tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
200mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-262
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
*IRF520NLPBF
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRF540ZLPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
862
DiGi OSA NUMERO
IRF540ZLPBF-DG
Yksikköhinta
0.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF8301MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
IRF1503LPBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO262
IPB80N06S2H5ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
