IRF6616TR1PBF

Valmistajan tuotenumero:

IRF6616TR1PBF

Product Overview

Valmistaja:

Infineon Technologies

Osan numero:

IRF6616TR1PBF-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 40 V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12805675

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

IRF6616TR1PBF Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Infineon Technologies

Paketti

-

Sarja

HEXFET®

Tuotteen tila

Obsolete

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

40 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

19A (Ta), 106A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

5mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

44 nC @ 4.5 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

3765 pF @ 20 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Käyttölämpötila

-40°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

DIRECTFET™ MX

Pakkaus / Kotelo

DirectFET™ Isometric MX

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

IRF6616TR1PBF-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

1,000

Muut nimet

IRF6616TR1PBF-DG

SP001526896

IRF6616TR1PBFTR

IRF6616TR1PBFDKR

IRF6616TR1PBFCT

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

infineon-technologies

IRFS7762TRLPBF

MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK

infineon-technologies

IRFH5106TR2PBF

MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

infineon-technologies

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

infineon-technologies

IRLZ24NPBF

MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB