Valmistajan tuotenumero:
IRF6722MTRPBF
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRF6722MTRPBF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 56A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MP
Varasto:
12804661
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF6722MTRPBF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
HEXFET®
Tuotteen tila
Discontinued at Digi-Key
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13A (Ta), 56A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 50µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DIRECTFET™ MP
Pakkaus / Kotelo
DirectFET™ Isometric MP
Perustuotenumero
IRF6722
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,800
Muut nimet
SP001523908
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF5210LPBF
MOSFET P-CH 100V 38A TO262
IPP60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
IPP60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
