Valmistajan tuotenumero:
IRF7324D1TR
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRF7324D1TR-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Varasto:
12805655
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF7324D1TR Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
FETKY™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
2.7V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
Schottky Diode (Isolated)
Tehohäviö (enintään)
2W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SO
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB80N06S4L07ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPW90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
IRF6678
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET