Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IRF7480MTRPBF
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRF7480MTRPBF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 217A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Varasto:
17484 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12823294
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF7480MTRPBF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
HEXFET®, StrongIRFET™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
217A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 132A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 150µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6680 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
96W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DirectFET™ Isometric ME
Pakkaus / Kotelo
DirectFET™ Isometric ME
Perustuotenumero
IRF7480
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IRF7480MTRPbF
Tietokortit
IRF7480MTRPBF
HTML-tietolomake
IRF7480MTRPBF-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,800
Muut nimet
IRF7480MTRPBFCT
IRF7480MTRPBF-DG
IRF7480MTRPBFTR
SP001566252
IRF7480MTRPBFDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPW60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
BUK7Y35-55B,115
MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK56
IRF7324D1
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO
IRFR3708TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK